電子注入增強柵晶體管

電子注入增強柵晶體管（Injection enhanced gate transistor），簡稱IEGT，是電子半導體器件的一種。具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高(可達4kw以上)、節能性高等特性，並同時具備GTO和IGBT元件的一些優點。

IEGT最先由日本東芝於1993年所研發，並以注入式增強結構(Injection Enhanced，簡稱IE)技術，取得IEGT器件開發與生產專利。也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商。