中村修二

中村修二日语: Nakamura Shūji ?1954年5月22日),生於日本愛媛縣的日裔美國公民,專業為电子工程學家,商業用高亮度藍色發光二極體與青紫色激光二極管的發明者,世稱「藍光之父」。現任美國加州大學聖塔芭芭拉分校教授、愛媛大學客座教授。文化勳章獲得者。文化功勞者

中村修二
出生 (1954-05-22) 1954年5月22日
 日本愛媛縣西宇和郡四濱村(現伊方町[1]
居住地 美國
国籍 美國(2005/2006年之後)[2][3]
母校德島大學
知名于發明實用級高亮度藍色發光二極體、青紫色激光二極管
奖项IEEE/LEOS 工程成就獎(1996)
仁科芳雄獎(1996)
IEEE Jack A. Morton Award(1998)
(1998)
富蘭克林獎章(2002)
千禧年科技獎(2006)
阿斯图里亚斯亲王奖学術・技術研究部門(2008)
哈維獎(2009)
诺贝尔物理学奖(2014)
文化勳章(2014)
文化功勞者(2014)
查爾斯·斯塔克·德雷珀獎(2015)
全球能源獎(2015)
全美發明家殿堂(2015)
科学生涯
研究领域电子工程
机构日亞化學工業
加州大學聖塔芭芭拉分校
日語寫法
日語原文
假名
平文式罗马字

2014年,中村凭借「發明高亮度藍色發光二極體,帶來節能明亮的白色光源」与赤崎勇天野浩共同获得诺贝尔物理学奖[4],晉身繼南部陽一郎之後的第2位美國籍日裔諾貝爾獎得主

中村是日本唯一同時擁有諾貝爾獎富蘭克林獎章查爾斯·斯塔克·德雷珀獎全球能源獎全美發明家殿堂這5大榮譽的科學家。

主要成就

1993年,中村修二對名古屋大學赤崎勇天野浩師徒有關p型GaN(氮化鎵)的早期貢獻,提出正確的理論解釋,並獨立發明以InGaN(基於氮化銦鎵)晶體製作藍色發光元件的雙流式MOCVD方法(Two flow MOCVD),使得高亮度藍色發光二極體正式實用化,開啟愛迪生發明白熾燈之後的又一次人類照明革命。

生平

出身、求學

1954年5月22日,中村修二誕生於愛媛縣西宇和郡四濱村。1965年遷居兵庫縣尼崎市,後來就讀愛媛縣立大洲高等學校普通科,亦參加排球社。1973年畢業後,原欲投考物理科系,但出於「就業不易」的考量,最終選擇沒有物理系的德島大學。1977年從工學部電氣工程科畢業,1979年獲得同校工學碩士學位。完成學業後,中村原定進入京瓷公司[5]。但為照顧大學時代出生的小孩,改入鄰近的日亞化學工業(日亞化)公司,在開發課工作。

日亞化時期

中村就職後,竭力主張開發藍色激光二極管的前景,日亞化因此撥給中村3億日圓的研發經費。1987年至1988年9月,中村赴美國佛罗里达大学留學一年,回到日亞化投入2億日圓著手改造有機金屬化學气相沉積法裝置。儘管受到公司新社長的反對,但中村仍堅持進行研究活動。

1993年,中村發明雙流式MOCVD方法,日亞化得以量產實用級高亮度藍色發光二極體,並取得LED照明市場的全球獨霸地位,其後數年獲利達數千億日圓。翌年以論文「InGaN高亮度藍色LED的相關研究」取得德島大學論文博士學位(工學)。1995年,他成功實現InGaN/GaN藍色激光二極管的室溫下脈衝振盪。

1999年,中村離職,翌年應杨祖佑之邀擔任加州大學聖塔芭芭拉分校材料工學院教授。

中村判決

中村修二發明的雙流式MOCVD方法即通稱的404專利。中村赴美後,圍繞著專利與專利轉讓問題,中村與日亞化展開了一系列訴訟。[6]2004年1月30日,中村正式控告日亞化,要求補償發明的對價。一審法庭基於「中村的發明貢獻不小於一半」的判斷,判決日亞化需支付200億日圓。但東京高等法院最終在2005年1月11日做出「建議和解」的裁決,日亞化支付中村8億4000萬日圓,自此買斷中村在該公司的所有發明。當日,中村修二及其律師在記者會抨擊「日本司法制度很爛」[7]

2014年11月3日,中村因獲頒文化勳章返國召開記者會,自道「希望與日亞化修復關係」,但未如願[8]

學界活動

赴美成為加州大學教授之後,中村修二亦陸續兼任信州大學(2002年)、愛媛大學(2006年)客座教授,以及復旦大學(2009年)顧問教授[9]

2005年,中村發明可以簡單地將光電解取出氫氣的方法。2007年1月,他宣佈發明世界第一個非極性藍紫色激光二極管。

中村修二名列2002年湯森路透引文桂冠獎,並在2014年與赤崎勇天野浩同獲諾貝爾物理學獎。天野教授其時謙稱:「中村先生是實驗之神,迅速推進藍光LED的實用化。讓氮化鎵材料受到重視的最大功臣,除了中村沒有第二個人。」[10]根據諾貝爾獎委員會,有關3人貢獻的主要區別是:[11]

  • 赤崎:以低溫沉積氮化鋁(AIN)緩衝製成高品質GaN
  • 天野:實現pn結GaN
  • 中村:對實用級高效能藍色LED的一系列成就、貢獻(基於InGaN,但官方文件未載)

榮譽

發言

在2014年《日本經濟新聞》的專訪中,中村解釋自己為何入籍美國:

對此,京都大學教授山中伸彌在《日經商務週刊》表示:

2015年5月3日,中村修二在一場與JAXA負責人川口淳一郎的對談中表示,江崎玲于奈(1973年諾貝爾物理學獎得主)是他「尤其尊敬的人物」。江崎發明了對LED至為重要的超晶格[19]

參見

參考資料

  1. 中村 2002c,第106页
  2. [Patent belongs to the company "Violent opposition" Nobel prize winner Shuji Nakamura]. Asahi Shimbun Digital. 18 October 2014 [2014-11-22]. (原始内容存档于2018-12-25) (日语).
  3. [Nobel prize winner Shuji Nakamura talks about why he acquired U.S. citizenship]. withnews. 18 October 2014 [2014-11-22]. (原始内容存档于2018-12-25) (日语). 2005、6年ごろに(米国市民権を)取ったんですよ [aquired (U.S. citizenship) in 2005 or 2006]
  4. (PDF). Nobel Prize. 2014-10-07 [2014-10-07]. (原始内容存档 (PDF)于2014-10-07).
  5. 陳芳毓; 蘇義傑(攝影). . 《遠見雜誌》. 天下文化. 2015-09-14 [2015-09-14]. (原始内容存档于2015-09-16).
  6. . [2015-12-04]. (原始内容存档于2015-12-03).
  7. . [2014-11-14]. (原始内容存档于2014-11-07).
  8. . [2014-10-28]. (原始内容存档于2014-10-28).
  9. 読売新聞. . [2014-10-08]. (原始内容存档于2014-10-09).
  10. . [2015-09-06]. (原始内容存档于2015-09-06).
  11. . [2014-10-07]. (原始内容存档于2018-08-10).
  12. . [2014-10-25]. (原始内容存档于2015-07-15).
  13. . [2015-02-05]. (原始内容存档于2015-02-05).
  14. . [2015-07-02]. (原始内容存档于2015-09-24).
  15. . [2016-11-05]. (原始内容存档于2016-11-13).
  16. 諾獎得主中村為何加入美國國籍 日經中文網
  17. 諾貝爾物理學獎得主的憤怒:日本只重大企業,會讓優秀人員全流向海外! - 時事 - 國際 - 日經科技報 - 商業周刊
  18. . [2015-04-23]. (原始内容存档于2015-04-21).
维基语录上的相关摘錄: 中村修二

外部链接

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