中村修二

1954年5月22日，中村修二誕生於愛媛縣西宇和郡四濱村。1965年遷居兵庫縣尼崎市，後來就讀愛媛縣立大洲高等學校普通科，亦參加排球社。1973年畢業後，原欲投考物理科系，但出於「就業不易」的考量，最終選擇沒有物理系的德島大學。1977年從工學部電氣工程科畢業，1979年獲得同校工學碩士學位。完成學業後，中村原定進入京瓷公司[5]。但為照顧大學時代出生的小孩，改入鄰近的日亞化學工業（日亞化）公司，在開發課工作。

中村就職後，竭力主張開發藍色激光二極管的前景，日亞化因此撥給中村3億日圓的研發經費。1987年至1988年9月，中村赴美國佛罗里达大学留學一年，回到日亞化投入2億日圓著手改造有機金屬化學气相沉積法裝置。儘管受到公司新社長的反對，但中村仍堅持進行研究活動。

1993年，中村發明雙流式MOCVD方法，日亞化得以量產實用級高亮度藍色發光二極體，並取得LED照明市場的全球獨霸地位，其後數年獲利達數千億日圓。翌年以論文「InGaN高亮度藍色LED的相關研究」取得德島大學論文博士學位（工學）。1995年，他成功實現InGaN/GaN藍色激光二極管的室溫下脈衝振盪。

1999年，中村離職，翌年應杨祖佑之邀擔任加州大學聖塔芭芭拉分校材料工學院教授。

中村修二發明的雙流式MOCVD方法即通稱的404專利。中村赴美後，圍繞著專利與專利轉讓問題，中村與日亞化展開了一系列訴訟。[6]2004年1月30日，中村正式控告日亞化，要求補償發明的對價。一審法庭基於「中村的發明貢獻不小於一半」的判斷，判決日亞化需支付200億日圓。但東京高等法院最終在2005年1月11日做出「建議和解」的裁決，日亞化支付中村8億4000萬日圓，自此買斷中村在該公司的所有發明。當日，中村修二及其律師在記者會抨擊「日本司法制度很爛」[7]。

2014年11月3日，中村因獲頒文化勳章返國召開記者會，自道「希望與日亞化修復關係」，但未如願[8]。

赴美成為加州大學教授之後，中村修二亦陸續兼任信州大學（2002年）、愛媛大學（2006年）客座教授，以及復旦大學（2009年）顧問教授[9]。

2005年，中村發明可以簡單地將水光電解取出氫氣的方法。2007年1月，他宣佈發明世界第一個非極性藍紫色激光二極管。

中村修二名列2002年湯森路透引文桂冠獎，並在2014年與赤崎勇、天野浩同獲諾貝爾物理學獎。天野教授其時謙稱：「中村先生是實驗之神，迅速推進藍光LED的實用化。讓氮化鎵材料受到重視的最大功臣，除了中村沒有第二個人。」[10]根據諾貝爾獎委員會，有關3人貢獻的主要區別是：[11]

• 赤崎：以低溫沉積氮化鋁（AIN）緩衝製成高品質GaN
• 天野：實現pn結GaN
• 中村：對實用級高效能藍色LED的一系列成就、貢獻（基於InGaN，但官方文件未載）