氮化鎵

氮化鎵GaN、Gallium nitride)是的化合物,是一種III族V族直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體,可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405 nm)雷射。

氮化鎵
IUPAC名
Gallium nitride
识别
CAS号 25617-97-4  
PubChem 117559
ChemSpider 105057
SMILES
InChI
InChIKey JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI
RTECS LW9640000
性质
化学式 GaN
摩尔质量 83.73 g/mol g·mol¹
外观 黃色粉末
密度 6.15 g/cm3
熔点 >2500°C[1]
溶解性 會和水反應
能隙 3.4 eV(300 K, direct) eV
电子迁移率 440 cm2/(V·s,300 K)
熱導率 2.3 W/(cm·K,300 K)[2]
折光度n
D
2.429
结构
晶体结构 纖鋅礦
空间群 C6v4-P63mc
晶格常数 a = 3.186 Å, c = 5.186 Å [3]
配位几何 正四面體
危险性
欧盟编号 未列出
闪点 不可燃
相关物质
其他阴离子 磷化鎵
砷化鎵
銻化鎵
其他阳离子 氮化硼
氮化鋁
氮化銦
相关化学品 砷化鋁鎵
砷化銦鎵
磷鉮化鎵
氮化鋁鎵
氮化銦鎵
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

如同其他III族元素氮化物,氮化镓对电离辐射的敏感性较低,这使得它适合用于人造卫星太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益,因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性[4]。相比砷化镓(GaAs)晶体管,氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行,因此它们是理想的微波频率的功率放大器。

2020年起,氮化鎵功率半導體開始大量用於3C產品的充電器,與傳統碳化矽相比,轉換效率高、耗能較小,可支援快速充電且體積更小易攜帶[5]

相關條目

參考資料

  1. T. Harafuji and J. Kawamura. . Appl. Phys. 2004, 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878.
  2. Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf 页面存档备份,存于.
  3. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30
  4. Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken. (PDF). GOMAC Tech Conference. March 2011 [2016-09-14]. (原始内容存档 (PDF)于2013-11-07).
  5. . 天下雜誌. 2020-12-14.

外部链接

维基共享资源中相关的多媒体资源:氮化鎵
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.