中芯国际

中芯國際集成電路製造有限公司（簡稱中芯国际，港交所：981, 上交所：688981，除牌前：SMI）于2000年4月在開曼群島註冊成立，总部位于中國上海。中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中國大陸规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。截至2020年6月1日，中芯国际向全球客户提供0.35微米到14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务，具备逻辑电路、电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合訊號/射频、图像传感器等多个技术平台的量产能力。

中芯國際集成電路製造有限公司
公司類型上市公司
股票代號港交所：981
上交所：688981
成立2000年4月3日
开曼群岛
創辦人张汝京
代表人物周子学（董事长）
梁孟松（联合首席执行官）
赵海军（联合首席执行官）
總部 中华人民共和国
上海市浦东新区张江路18号
業務範圍 世界
产业电子、半导体
產品晶圆代工
營業額▲29.1418亿美元（2016）
▲3.32919亿美元（2016）
▲3.16434亿美元（2016）
總資產▲101.15278亿美元（2016）
資產淨值▲54.03227亿美元（2016）
員工人數17,967（2016年12月31日）
网站www.smics.com
備註数据来源：

中芯国际在中国上海、北京、天津和深圳拥有多个8英寸和12英寸生产基地，截至2019年末，上述生产基地的产能合计达每月45万片晶圆（约当8英寸）。除中国大陆外，中芯国际亦在美国、欧洲、日本和台湾设立了市场推广办公室，在香港设立了代表处，为全球客户提供服务。公司的创立者之一为曾在台積電任職過的张汝京，目前公司联合首席执行官为曾任職過台積電與三星的梁孟松和曾任職茂德科技的赵海军，前台積電幹部蔣尚義將接任副董事長。

历史

奠基时期（2000年-2004年）

2000年，中芯国际在上海浦东开工建设，是中国大陆第一家提供0.18微米技术节点的集成电路晶圆代工企业。

2001年，中芯国际建设完成上海8英寸生产基地。

2002年，中芯国际实现0.18微米的全面技术认证和量产。同年，中芯国际北京12英寸生产基地举行奠基仪式。

2003年，中芯国际收购天津摩托罗拉晶圆厂并成立中芯天津。中芯国际陆续实现0.35微米~0.13微米的全面技术认证和量产，标志着中芯国际集成电路晶圆代工技术完成初步积累。

2004年，中芯国际首次实现盈利并于香港交易所与纽约证券交易所上市。

积累时期（2004年-2015年）

2004年起，公司北京12英寸生产基地逐步投入生产。12英寸集成电路晶圆代工业务的成功落地是公司发展过程中的重要里程碑，标志着公司成为8英寸和12英寸集成电路晶圆代工业务兼备的企业。

2005年，公司年度营业收入首次突破10亿美元，并分别在2006年、2009年、2011年顺利实现90纳米、65/55纳米、45/40纳米的升级和量产，技术服务能力实现跨越式提升。

2013年，公司年度营业收入首次突破20亿美元。

  • 2014年6月，中芯国际與長電科技於江陰高新技術產業開發區合資成立凸塊加工與封測廠。
  • 2014年12月，獲300億人民幣產業基金支持。12月底深圳晶圓廠房正式投產。[1]同月與高通共同宣布高通採用28nm製程的驍龍410於中芯國際代工，同時高通也透露如果條件允許，其它入門型號的SoC也會交給SMIC代工製造，以便進一步降低製造成本。[2]

高速发展时期（2015年至今）

2015年，公司成为中国大陆第一家实现28纳米量产的企业，实现中国大陆高端芯片零生产的突破，公司进入战略调整后的高速发展时期，并分别在上海、北京、天津和深圳启动生产基地的新建和扩建。

2017年，公司年度营业收入首次突破30亿美元。

2019年，公司取得重大进展，实现14纳米FinFET量产，第二代FinFET技术进入客户导入阶段。

2019年5月宣布从纽约证券交易所退市，2020年7月在上海证券交易所科创板挂牌上市。

據路透社和金融時報報導，2020年9月25日，美国商务部工业与安全局向中芯国际的供应商发出通知，供应商若要继续给中芯国际供货，需向美国政府申请出口许可证。中芯国际表示，其与中国军方毫无关系，該公司生產的產品只涉及民用和商用，不涉及軍用[3]。

2020年12月3日，美國國防部正式將中芯國際在內的四間中資企業列入黑名單[4]。同月18日，美国商务部工业和安全局将中芯国际列入实体清单[5] [6]。

市场地位

根据IC Insights公布的2018年纯晶圆代工行业全球市场销售额排名，中芯国际占全球纯晶圆代工市场份额的6%，位居全球第四位。前十名分别为台积电、格罗方德、联华电子、中芯国际、力晶科技、华虹集团、高塔半导体、世界先进、东部半导体、X-Fab。

技术水平与成果

逻辑工艺技术平台

在逻辑电路制造领域，中芯国际成功开发了0.35/0.25微米、0.18/0.15微米、0.13/0.11微米、90纳米、65/55纳米、45/40纳米、28纳米及14纳米等多种技术节点，是中国大陆技术最先进、覆盖技术节点最广的晶圆代工企业之一。

在先进逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家提供国际领先的14纳米技术节点的晶圆代工企业。目前，公司第一代14纳米FinFET技术已进入量产阶段，第二代FinFET技术已进入客户导入阶段。利用公司先进FinFET技术在晶圆上所制成的芯片已被广泛地应用于智能手机、平板电脑、机顶盒等领域。

在成熟逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家提供0.18/0.15微米、0.13/0.11微米、90纳米、65/55纳米、45/40纳米和28纳米技术节点的晶圆代工企业。目前，中芯国际的28纳米工艺是业界主流技术，包含传统的多晶硅和后栅极的高介电常数金属栅极制程；公司的45/40纳米、65/55纳米和90纳米工艺实现了高性能和低功耗的融合；中芯国际的0.13/0.11微米和0.18/0.15微米工艺分别实现了全铜制程和铝制程，在满足高性能的同时有效控制成本。中芯国际利用成熟逻辑工艺技术平台所制成的芯片产品已被广泛地应用于处理器、移动基带、无线互联芯片、数字电视、机顶盒、智能卡、消费性产品等诸多领域。

特色工艺技术平台

除逻辑电路制造外，中芯国际成功开发了电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多种特色工艺平台，均已达到了行业先进的技术水平。

其中，

  • 电源/模拟技术基于现有的低功耗逻辑工艺平台可提供模块架构，为模拟和电源应用提供优越的性能；高压驱动技术平台涵盖0.15微米、55纳米、40纳米等技术节点，提供了中压和高压器件，优化高压显示驱动芯片SRAM单元；
  • 嵌入式非挥发性存储技术平台涵盖0.35微米至40纳米技术节点，具有低功耗、耐久性突出的特点；
  • 非易失性存储技术平台涵盖24纳米、38纳米以及65纳米至0.18微米技术节点。

中芯国际利用特色工艺技术平台所制成的芯片产品已被广泛地应用于电源管理、汽车和工业、通信和消费电子等诸多领域。

设计服务及IP支持

中芯国际拥有超过200人的专业设计服务团队，其通过与技术研发团队合作，提供与集成电路晶圆代工业务配套的设计服务和IP支持。目前，公司具有中国大陆最先进的FinFET工艺下的基础IP开发和芯片定制能力，可为客户提供多种IP模块，具体如下：①全系列标准单元库，适用于高性能、消费类、低功耗和特定功能的各种芯片设计；②通用型、振荡器和定制类等多种输入/输出端口IP，以及相应的ESD合规检查服务；③从高速系列到高密度系列，从高速到低电压应用的静态随机存储编译器；④模数转换、数模转换、锁相回路、温度电压传感器、电子熔丝等模拟IP，可覆盖从高性能高精度到低功耗小面积的多种应用。

此外，中芯国际基于领先的EDA平台所研发的参考设计流程可服务于0.13/0.11微米、65/55纳米、45/40纳米、28纳米及14纳米等多种技术节点的芯片设计。同时，公司提供高性价比的后端版图和布局布线服务,帮助客户加快产品设计与量产导入。

光掩模制造

中芯国际拥有中国大陆最大及最先进的光掩模制造设施和最专业的光掩模制造工艺研发团队，能够为14纳米量产及更先进技术节点研发提供光掩模产品。公司的光掩模制造所涉及的核心工艺包括前道的版图数据处理、电子束描画、显影刻蚀与后道的缺陷检查和控制，均由中芯国际团队开发完成并拥有自主知识产权，其产品线可覆盖公司所有的集成电路晶圆代工工艺。

目前，中芯国际是中国大陆唯一具备FinFET光掩模量产能力的企业，其14纳米光掩模已稳定量产，在性能、质量、良率和交货周期等方面均达业界领先水平。

凸块加工及测试

中芯长电是中国大陆第一家能够提供在28纳米至14纳米工艺制造的集成电路晶圆上进行中段凸块加工的厂商，所封测的集成电路产品涉及领域广泛，包括移动通讯、消费电子、存储器、电源管理等。

生产基地

目前中芯國際在中國大陸有4個主要製造廠區、兩座合資廠區以及一座海外廠區。[7]

  • 上海廠區：總部所在地，位於上海張江高科技園區，由兩座工廠組成，一座是提供0.35微米~90奈米製程的200毫米晶圓廠，另一座是提供45/40奈米製程~28奈米製程的300毫米晶圓廠；
  • 北京廠區：位於北京經濟技術開發區，由兩座300毫米晶圓廠組成，提供130奈米~28奈米製程；
  • 天津廠區：位於天津西青經濟開發區，是一座提供0.35微米~90奈米製程的200毫米晶圓廠；
  • 深圳廠區：位於深圳坪山區，目前有一座提供0.35微米~90奈米製程的200毫米晶圓廠，目前仍在建造新廠房中；
  • LFoundry廠區：位於義大利阿韋扎諾，目前是一座200毫米晶圓廠，經由收購LFoundry獲得。[8]

除了以上製造廠區以外，另外兩座合資廠區負責製作晶圓生產使用的物料，一座是與日本凸版印刷合資成立的TSES（Toppan SMIC Electronics (Shanghai) Co., Ltd.），一座是與国家集成电路产业投资基金、长电科技以及高通多方合資成立的中芯长电半导体公司。

此外，中芯国际曾经在成都建有封装测试厂以及有一座代为经营管理的八吋芯片厂（现已转售给德州仪器公司），在武汉曾经代为经营管理的先进的12吋memory芯片厂（即是目前受各界关注的武汉新芯集成电路，XMC，由中芯国际前CTO杨士宁任CEO）。2007年12月26日，与IBM签订45纳米大批量CMOS技术授权合约。

與台積電的訴訟案

中芯國際成立後不久就遇上了來自台積電的法律指控，指中芯國際的張汝京團隊竊取了台積電的智慧財產。[9]第一輪訴訟階段於2005年以中芯國際賠付一億七千五百萬美元予台積電完結。2006年開啟了第二輪訴訟階段，2009年9月9日在美國加利福尼亞州奧克蘭開庭，[10]2009年11月4日陪審團最終認為中芯國際應對65個法律指控中的61個負法律責任。[11]不過該輪訴訟判決仍未裁定，最終中芯國際與台積電於2009年11月9日達成和解協議。

雙方和解的主要條款包括：雙方宣布並賠付關於雙方的待決訴訟的索賠、終止此前中芯國際根據第一輪訴訟和解協議支付剩餘款項的義務（約四千萬美元）、中芯國際向台積電支付總額為兩億美元的賠款、中芯國際向台積電授予約8%的中芯國際已發行股本及授權書而令台積電擁有中芯國際約10%的所有權。[12]

2010年底，與台積電為長達八年的商業機密剽竊案達成和解協議，中芯除了賠償台積電兩億美元，更將無償授予台積電8％中芯股權，台積電可在三年內以每股1.3元港幣認購2％的中芯股權。[13]

資本市場

2004年在香港联交所和纽交所上市

2004年1月28日，中芯国际董事会审议并通过了中芯国际公开发行股份并上市的议案。2004年2月16日，中芯国际股东特别大会审议并通过了中芯国际公开发行股份并上市的议案。

2004年3月5日，中芯国际与Credit Suisse First Boston（Hong Kong）Limited和Deutsche Bank AG, Hong Kong Branch签订承销协议，拟全球发售5,151,515,000股普通股。

2004年3月18日，中芯国际的普通股在香港联交所上市，招股定價為每股2.69港元。[14]，股票代码：981；证券简称：中芯国际。中芯国际的美国预托证券股份于纽交所上市，股票代码：SMI。本次拟全球发售5,151,515,000股普通股，包括中芯国际股东公开发售和新增发售，其中股东公开发售2,121,212,000股普通股，新增发售3,030,303,000股普通股。

2016年12月7日，经中芯国际前一日股东大会投票表决，中芯国际（代码0981）已发行普通股于今日每10股合并为1股。12月21日开始(含当日)，合并后的新股将可用股票代码0981进行交易。[15]

2019年从纽交所退市

2019年2月14日，中芯国际董事会通过决议，授权中芯国际在合适的时机取消美国预托证券股份在美国证交会的注册，并根据《1934年证券交易法》（经修订）终止中芯国际向美国证交会的报告义务。

2019年5月24日，中芯国际发出《关于拟将美国预托证券股份从纽约证券交易所退市和撤销根据美国证券交易法之注册及终止申报责任之公告》，中芯国际通知纽交所，根据《1934年证券交易法》（经修订）申请自愿将其美国预托证券股份从纽交所退市，并撤销该等美国预托证券股份和相关普通股的注册。[16]

2019年6月3日，中芯国际向美国证交会申请美国预托证券股份从纽交所退市。2019年6月14日，中芯国际的预托证券股份从纽交所退市并进入美国场外交易市场交易，中芯国际向美国证交会申请撤销注册及终止其在美国证券交易法下的申报责任。截至2020年6月1日，中芯国际的美国预托证券股份注册已成功撤销并终止在美国证券交易法下的申报责任。

董事会

目前中芯国际董事分别为董事长兼执行董事张文义、CEO兼执行董事邱慈云、本公司非执行董事陈山枝、高永岗、刘遵义及周杰，以及本公司独立非执行董事川西刚及陈立武。 自2016年12月20日起委任前台積電前共同執行長蒋尚义為公司的第三類獨立非執行董事[17]。

2009年11月10日，中芯国际CEO张汝京突然因“个人理由”宣布辞职，同时委任曾经在另一个中國芯片制造商华虹担任过高管的王宁国为董事会执行董事、集团总裁兼首席执行官，公司正式进入了“后张汝京时代”。

2010年度，中芯國際開始轉虧為盈。[18]

2011年6月27日，中芯国际前任董事长江上舟因肺癌复发逝世。

2011年7月15日，中芯国际发布公告称，王宁国已辞任公司CEO职务，董事会委任执行董事张文义为公司董事长，并暂时署理公司CEO。

2011年8月5日，中芯国际发布公告称，已委任前华虹NEC首席执行官邱慈云为公司CEO兼执行董事，这也意味着纷纷扬扬的中芯国际控制权争夺告一段落。

相关条目

参考文献
  1. . [2015-01-30]. （原始内容存档于2015-01-30）.
  2. . www.evolife.cn. [2018-05-27]. （原始内容存档于2018-05-28） （中文（中国大陆）‎）.
  3. . [2020-09-26]. （原始内容存档于2020-09-27）.
  4. . 美国之音. [2020-12-04]. （原始内容存档于2020-12-10）.
  5. . 环球网. 2020-12-18 [2020-12-18].
  6. . hkTec. 2020-12-18 [2020-12-18].
  7. . www.smics.com. [2018-05-27]. （原始内容存档于2018-05-27）.
  8. . www.lfoundry.com. [2018-05-27]. （原始内容存档于2018-05-27） （英语）.
  9. (PDF). [2009-10-09].
  10. Lammers, David. . semiconductor.net (Semiconductor International). 2009-09-10 [2009-10-09]. （原始内容存档于2009-09-16）.
  11. Longstreth, Andrew. . AmLaw Litigation Daily (Press Release). 2009-11-05 [2009-11-05].
  12. . SMIC press release. 2009-11-10 [2012-01-06]. （原始内容存档于2018-06-26）.
  13. . tech.sina.com.cn. [2018-03-09]. （原始内容存档于2018-03-10）.
  14. . 蘋果日報. 2004-03-19 [2018-06-26]. （原始内容存档于2018-06-26）.
  15. . stock.10jqka.com.cn. [2018-03-09]. （原始内容存档于2018-03-10）.
  16. . wallstreetcn.com. [2019-05-24]. （原始内容存档于2019-05-24）.
  17. 徐睦鈞，台積電大將蔣尚義 出任陸廠中芯獨董 页面存档备份，存于，聯合新聞網，2016-12-21
  18. 中芯国际扭亏 页面存档备份，存于，2011-03-16

外部链接
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.