杂质半导体

杂质半导体（英語：）又称外质半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂物，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变。

掺杂

若在純矽中摻雜（doping）少許的施子（即五價原子，最外層有5個電子的原子）如磷、砷、銻，施子的一個價電子就會成為自由電子，如此形成N型半導體，自由電子為N型半導體中導電的主要載子（多數載子）。

若在純矽中摻雜少許的受子（即三價原子，最外層有3個電子的原子）如硼、鋁、鎵、銦，就少了1個電子，而形成一個電洞（Hole，或稱電孔），如此形成P型半導體，電孔為P型半導體中導電的主要載子（多數載子）。

因摻雜前的本質半導體與雜質皆為電中性，摻雜後的外質半導體也為電中性。

参考來源
文献
  • Muller, Richard S.; Theodore I. Kamins. 2d. New York: Wiley. 1986. ISBN 978-0-471-88758-4.
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  • Neamen, Donald A. . McGraw-Hill Higher Education. 2003. ISBN 0-07-232107-5.
引用

    外部链接
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