极紫外光刻

極紫外光微影、超紫外線平版印刷術（英語：，亦稱EUV或EUVL）是一种使用極紫外光（EUV）波長的下一代微影技術，目前使用7納米，2020年得到廣泛應用[1][2][3][4] 。

極紫外光微影的成像機制

透過高能量、波長短的光源，將電路圖案轉印到晶圓的光阻劑塗層。EUV光源波長比目前DUV（深紫外線微影）的光源波長短，約為15分之1，因此能使用於線距更小電路圖案的曝光上。然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同，當採用13.5nm波長的極紫外光微影技術時，所有的光罩材料都是不透光的，因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜EUV光罩一方面可維持光罩的反射率，但另一方面會影響臨界線寬、輪廓、刻線邊緣粗糙度、選擇性和缺陷控制方面，而造成獨特的蝕刻效果。[5][6]