氮化鋁銦鎵的化學式是InGaAlN，是以氮化鎵為基礎的半導體，常用磊晶成長的方式製成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。