舛岡富士雄

舛岡富士雄於1943年在日本群馬縣高崎市誕生。群馬縣立高崎高等学校畢業，日本東北大學工學部畢業後進入「半導體先生」西澤潤一的研究室。1971年取得工學博士（東北大學）並加入東芝公司，開發SAMOS記憶體。他對非揮發性記憶體的點子有高度興趣，這是一種在電源關閉後，還能保存資料的記憶體。他在1980年發明NOR型快閃記憶體，1986年發明NAND型快閃記憶體，推動東芝成為世界半導體產業的巨頭，徹底改寫人類資訊時代的面貌。

舛岡在1994年返回擔母校東北大学任教，1996年成為東北大学電気通信研究所教授。2004年起擔任Unisantis公司電子首席技術官。[2] 繼續研究三維構造半導體Surrounding Gate Transistor(SGT)技術。

在很長一段時間中，東芝公司不承認NOR型快閃記憶體是舛岡富士雄的發明，直到電機電子工程師學會（IEEE）在1997年授予舛岡IEEE Morris N. Liebmann紀念獎後才改口。2006年舛岡起訴東芝，索賠10億日元，最後達成和解得到8700萬日元（合758,000美元）。

• 1997年 - IEEE Morris N. Liebmann紀念獎[3]
• 2007年 - 紫綬褒章
• 2013年 - 文化功勞者
• 2016年 - 瑞寶重光章
• 2018年 - 本田獎

• K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs." Electron Devices Meeting, 1988. IEDM'88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
• A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. "A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs." Electron Devices Meeting, 1989. IEDM'89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
• K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI's." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573-578.
• K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka . "Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579-583.
• F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. "A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT's) for ultra high density DRAM's." IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960-971.

• 西澤潤一
• 快閃記憶體
• 環繞式閘極半導體

1. Fulford, Benjamin. . Forbes. 24 June 2002 [2008-03-18]. （原始内容存档于2018-10-28）.
2. . [2013-06-16]. （原始内容存档于2007-02-22）.
3. . [2008-05-16]. （原始内容存档于2008-10-08）.

• （英文）Unsung hero 页面存档备份，存于 (Forbes profile article)
• （日語）UNISANTIS Electronics (Japan) Ltd.
• （日語）インタビュー記事 舛岡富士夫教授「日本発の三次元半導体で歴史を創る」