非揮發性記憶體

非揮發性記憶體（英語：，缩写：NVM）是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的電腦記憶體。非揮發性記憶體中，依記憶體內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。

類型

非揮發性記憶體主要有以下類型：

ROM（Read-only memory，唯讀記憶體）
- PROM（Programmable read-only memory，可規化唯讀記憶體）
- EAROM （Electrically alterable read only memory，電可改寫唯讀記憶體）
- EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可規化唯讀記憶體）
- EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可規化唯讀記憶體）
Flash memory（快閃記憶體）
NVRAM（非揮發性隨機存取記憶體）

硬碟、光碟與磁帶雖然也是非揮發性記憶體，但現行NVM一般特指非機械式之電子元件。

類型[1]	2.5" HDD	1" Microdrive	Flash Memory	Optical Disk	Tape	MRAM
產品型號	Hitachi Travelstar 5k160	Hitachi Microdrive 3k8	Hynix HY27UH08AG5M	Blu Ray	HP Ultrium 960	Freescale MR2A16A 页面存档备份，存于
Density（GBit/cm²）	20.3	18.4	0.8	3.8	0.047	0.0021
容量（GByte）	160	8	2	50	400	0.004
數據傳輸速度（Mbit/s）	540	80	23	144	640	436
Access time（ms）[註 1]	11	12	0.025	180	72000	0.035
Power consumption (W)[註 2]	1.8	0.6	0.1	25	20	0.08
尺寸（高x寬x長（cm））	0.95x7x10	0.5x3x4	0.1x1.2x2	4x15x19	2x10x10	0.1x1x1.8

SanDisk Cruzer Titanium隨身碟的印刷電路板上的Samsung快閃記憶體（左）與單晶片（右）

非揮發性記憶體已大量用於電子產品，尤其可攜帶性產品之中（如移動電話、數位相機、MP3等等）。

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類型

RAM
DRAM（例如DDR SDRAM） SRAM
发展中
可控硅随机存储器 Z-RAM
历史上
威廉姆斯管（1946－47年）延迟线存储器（1947年）选数管（1953年）冷阴极计数管

ROM
Mask ROM PROM EPROM EEPROM 闪存固态存储
NVRAM
RRAM
早期
nvSRAM FeRAM MRAM PRAM
磁式
磁带硬盘
光學式
光盘驱动器
发展中
3D XPoint CBRAM SONOS 賽道記憶體 NRAM Millipede FJG RAM
历史上
纸张数据存储（1725年）磁鼓存储器（1932年）磁芯記憶體（1949年）磁镀线存储器（1957年） Core rope memory（1960年代）薄膜存储器（1962年）磁扭线存储器（~1968年）磁泡存储器（~1970年）