王阳元

王阳元（1935年1月1日－），男，浙江宁波人，中国微电子学家，中国科学院院士，北京大学微电子学研究院院长，信息科学技术学院微电子学系主任，微米/纳米加工技术国家重点实验室主任，IEEE Fellow、IEE Fellow。他是中国硅栅N沟道MOS技术开拓者之一。[1][2]

生平

1935年1月1日出生于浙江宁波镇海县（现镇海区）。1947年入读宁波中学。1953年考入北京大学，1958年毕业。

20世纪70年代，主持研制成功中国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器。20世纪80年代，提出多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型，工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，受国际同行重视。20世纪90年代后期，开始研究微机电系统（MEMS），获得一系列专利。领导研制成功中国首个大型集成化的ICCAD系统。创建中芯国际并担任董事长。

曾参与汉芯的鉴定工作，汉芯后被曝光为造假。

家庭

妻子是中国科学院院士杨芙清。

参考资料
  1. . 上海交通大学科学史与科学哲学系. [2019-08-27]. （原始内容存档于2019-08-27）.
  2. . 同济大学. [2019-08-27]. （原始内容存档于2019-08-27）.

外部链接
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