王阳元

王阳元1935年1月1日),男,浙江宁波人,中国微电子学家,中国科学院院士北京大学微电子学研究院院长,信息科学技术学院微电子学系主任,微米/纳米加工技术国家重点实验室主任,IEEE FellowIEE Fellow。他是中国栅N沟道MOS技术开拓者之一。[1][2]

生平

1935年1月1日出生于浙江宁波镇海县(现镇海区)。1947年入读宁波中学。1953年考入北京大学,1958年毕业。

20世纪70年代,主持研制成功中国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器。20世纪80年代,提出多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型,工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,受国际同行重视。20世纪90年代后期,开始研究微机电系统(MEMS),获得一系列专利。领导研制成功中国首个大型集成化的ICCAD系统。创建中芯国际并担任董事长。

曾参与汉芯的鉴定工作,汉芯后被曝光为造假。

家庭

妻子是中国科学院院士杨芙清

参考资料

  1. . 上海交通大学科学史与科学哲学系. [2019-08-27]. (原始内容存档于2019-08-27).
  2. . 同济大学. [2019-08-27]. (原始内容存档于2019-08-27).

外部链接

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