SDRAM

桌上型電腦用的DDR, DDR2 和DDR3的佈局

儘管SDRAM的概念至少從20世紀70年代就已經被人們所熟悉，在早期的Intel處理器上也已被採用，但要說到它在電子工業被廣泛接受，那是從1993年才開始的。1993年，三星開始展示其新出品的KM48SL2000 SDRAM，到2000年，SDRAM因為其卓越的性能，實際上取代了其它類型的DRAM在現代計算機中的位置。

SDRAM本身的延遲其實並不比異步DRAM更低（延遲更低意指速度更快）。其實，早期的SDRAM因為其構造中的附加邏輯單元，在速度上比同時期的爆發式延伸數據輸出DRAM(Burst EDO DRAM)還有所不及。而SDRAM的內建緩衝則可以使得運算交叉進入，這樣就可以有效提高带寬，速度更快。

時至今日，所有的SDRAM實際上都依照JEDEC(一個電子工業聯盟，選定開放的標準，使電子元件的互容性更好)制定的標準製造。JEDEC於1993年正式採用其第一個有關SDRAM的標準，隨後是其它SDRAM的標準，包括了DDR、DDR2和DDR3 SDRAM。

時至2012年，168-pin(pin指內存插入實際接觸的金手指數量)的SDRAM雙線內存模組（DIMM）在新的個人電腦上已經不再使用，被大量的184-pin的DDR記憶體代替。在新的個人電腦，DDR2 SDRAM又已經普遍取代DDR SDRAM，但目前DDR3的和記憶體比DDR2 SDRAM被更廣泛地使用，成為主流，所以DDR3目前的價格比非主流的DDR2產品便宜了不少。

如今世界有三強SDRAM顆粒製造商：南韓的三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，及美國的美光科技(Micron Technology)。三者壟斷超過90%的全球市場，包括PC RAM、手機RAM和伺服器RAM。[2] 另外，以上三間公司及日本東芝亦壟斷了全球90%的NAND快閃記憶體市場，這種記憶體主要用來製造SD卡和SSD。[3]

有几个DRAM性能的极限，最有名的就是读取周期时间，是指对一个开放的行进行连续读操作之间的间隔。这个时间从100MHZ频率的SDRAM的10纳秒缩减为DDR-400的5纳秒，但是从DDR2-800和DDR3-1600就保持相对不变。然而，操作接口电路，使基本读取速度成倍提高，可实现带宽的迅速增加。

另一个极限是CAS等待时间，是指提供一个与接受到相关之间的间隔。这个也保持了相对稳定，最近几代DDR SDRAM的这个数据为10-15纳秒。 在操作上,對DRAM控制器來說CAS latency是一個已知的clock cycles特定數字, 這數字會被登錄在SDRAM模式註冊表中.在时钟速率很快的情况下，CAS等待时间相对的时钟周期数自然就会增加。10-15纳秒对200MHZ时钟频率的DDR-400 SDRAM就是2-3个周期，对DDR2-800就是4-6个周期，DDR3-1600就是8-12个周期。比较慢的时钟周期，CAS等待时间相对的周期数也会比较少。

100MHz的SDRAM芯片第一次出现时，有些制造商开始贩卖“100 MHz”的模组，而这些模组是不能在那个时钟频率下正常工作的。有鉴于此，Intel发布了PC100的标准，描述了具体要求，为生产能在100MHz频率下工作的内存模组提供了指引。这个标准影响深远，“PC100”这个术语很快成了100MHz SDRAM模组的通用标识。如今，模组通常被冠以“PC”为前缀的一组数字的名称（PC66、PC100或者PC133—尽管数字代表的实际含义早就不是其原有的）。[4]

64 MB 音效記憶體於 Sound Blaster X-Fi聲霸卡上，用了兩顆 Micron 48LC32M8A2-75 C SDRAM 的 133 MHz (7.5 ns) 8-bit 晶片 [5]

單資料流SDRAM（SDR SDRAM）被視最早的SDRAM，單資料流SDRAM在每个時脈可以接收一個指令和傳輸一個位元組。典型的時脈為66、100和133MHz(周期分别为15、10和7.5奈秒)時脈到150MHz的則可用於性能的發燒友。晶片有多種不同的匯流排寬度（最常見的是4、8或16bits），但是晶片一般被做成168-pin的DIMM模组，可以同時讀寫64bits(非ECC)或72bits(ECC)。 [6] 匯流排的存取機制很複雜，需要一个複雜的DRAM控制器。這是因為寫入DRAM的必需和一個寫入指令在同一個時脈中，而讀取可以在讀取指令後的2到3個時脈進行。DRAM控制器必須確保匯流排不會同時進行讀寫。

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