45纳米制程

45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。[1]

10 µm– 1971年
6 µm– 1974年
3 µm– 1977年
1.5 µm– 1982年
1 µm– 1985年
800 nm– 1989年
600 nm– 1994年
350 nm– 1995年
250 nm– 1997年
180 nm– 1999年
130 nm– 2001年
90 nm– 2004年
65 nm– 2006年
45 nm– 2008年
32 nm– 2010年
22 nm– 2012年
14 nm– 2014年
10 nm– 2017年
7 nm– 2018年
5 nm– 2020年
3 nm– ~2022年
2 nm– ~2024年
晶體管數量

芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极，目的是为了减少漏电。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。

2020年，華為擬上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45納米晶片做起。

具有45纳米制程的产品
  • 英特爾Core 2
  • 英特尔Core i7
  • 英特爾Nehalem處理器
  • Xenon 用于Xbox 360 S model
  • Wii U "Espresso" IBM CPU
  • 富士通生產的SPARC64 VIIIfx CPU，用於與理化學研究所共同開發的超級電腦「京」

参考文献
  1. . [2016-11-05]. （原始内容存档于2007-10-26）.
先前
65纳米制程		 半导体器件制造制程 其後
32纳米制程
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