90纳米制程

90纳米制程是半导体制造制程的一个水平，大约于2004年至2005年左右达成。[1][2] 这个是由当时的领先半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。

10 µm	– 1971年
6 µm	– 1974年
3 µm	– 1977年
1.5 µm	– 1982年
1 µm	– 1985年
800 nm	– 1989年
600 nm	– 1994年
350 nm	– 1995年
250 nm	– 1997年
180 nm	– 1999年
130 nm	– 2001年
90 nm	– 2004年
65 nm	– 2006年
45 nm	– 2008年
32 nm	– 2010年
22 nm	– 2012年
14 nm	– 2014年
10 nm	– 2017年
7 nm	– 2018年
5 nm	– 2020年
3 nm	– ~2022年
2 nm	– ~2024年

晶體管數量

许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。

此外，12英寸晶圓在这个制程上成为主流。

具有90纳米制程的产品

IBM PowerPC G5 970FX 2004年
英特尔奔腾4 Prescott 2004年2月
AMD Athlon 64 Winchester 2004年10月
nVIDIA GeForce 6100系列、GeForce 7、Geforce 8800系列
任天堂 Wii遊戲機的Broadway 微處理器
ATi為任天堂Wii遊戲機開發的Hollywood GPU

参考文献

Mueller, S. . informIT. 2006-07-21 [2012-05-11]. （原始内容存档于2015-04-27）.
Myslewski, R. . TheRegister. 2011-11-15 [2015-04-19]. （原始内容存档于2015-04-27）.

先前 130纳米制程	半导体器件制造制程	其後 65纳米制程

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